請問生產去光刻膠清洗劑的廠家有哪些啊?國外較出名的有哪些啊?

深圳德同光電 國外比較出名的:PRS3000,PMR100,DTNS-T4000

如何有效去除光刻膠犧牲層

試著用Piranha,不過用這個液時要注意.

什么極易溶解未感光光刻膠

感光劑不足,或感光時間不足.另一個原因也可能是上膠后干燥不透. 1.低溫烘干不徹底,感光膠膜沒徹底干燥的話,顯影時就不好溶解掉,造成顯影不

請問在半導體工藝中,光刻后進行電鍍,電鍍后去除光刻膠后有一步lega treatment 什么意思?

在半導體工藝中,光課后進行電鍍電鍍后,去除光刻膠后有一步.

光刻膠是什么東西?

光刻膠又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料. 光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負性兩大類.在光刻膠工藝過程中,涂層曝光、顯影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下來,該涂層材料為正性光刻膠.如果曝光部分被保留下來,而未曝光被溶解,該涂層材料為負性光刻膠.按曝光光源和輻射源的不同,又分為紫外光刻膠(包括紫外正、負性光刻膠)、深紫外光刻膠、X-射線膠、電子束膠、離子束膠等.光刻膠主要應用于顯示面板、集成電路和半導體分立器件等細微圖形加工作業.光刻膠生產技術較為復雜,品種規格較多,在電子工業集成電路的制造中,對所使用有嚴格的要求.

光刻膠~~光刻膠的概念是什么?

光刻膠

photoresist

又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑（見光譜增

感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液

體。感光樹脂經光照后，在曝光區能很快地發生光固化

反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合

性等發生明顯變化。經適當的溶劑處理，溶去可溶性部

分，得到所需圖像（見圖光致抗蝕劑成像制版過程）。

光刻膠廣泛用于印刷電路和集成電路的制造以及印刷制

版等過程。光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學

反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照

后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不

可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。利用這

種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的

電路圖形。基于感光樹脂的化學結構，光刻膠可以分為

三種類型。①光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生

成自由基，自由基再進一步引發單體聚合，最后生成聚

合物，具有形成正像的特點。②光分解型，采用含有疊

氮醌類化合物的材料，經光照后,會發生光分解反應,由

油溶性變為水溶性，可以制成正性膠。③光交聯型，采

用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其

分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發生交聯，形成

一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，這是一種典

型的負性光刻膠。柯達公司的產品KPR膠即屬此類。

感光樹脂在用近紫外光輻照成像時，光的波長會限

制分辨率（見感光材料）的提高。為進一步提高分辨率

以滿足超大規模集成電路工藝的要求，必須采用波長更

短的輻射作為光源。由此產生電子束、X 射線和深紫外

(＜250nm)刻蝕技術和相應的電子束刻蝕膠，X射線刻蝕

膠和深紫外線刻蝕膠，所刻蝕的線條可細至1□m以下。

http://www.adsonbbs.com/baike_detail.asp?id=68

光刻膠在接受一定波長的光或者射線時,會相應的發生一種光化學反應或者激勵作用。光化學反應中的光吸收是在化學鍵合中起作用的處于原子最外層的電子由基態轉入激勵態時引起的。對于有機物，基態與激勵態的能量差為3~6eV，相當于該能量差的光(即波長為0.2~0.4μm的光)被有機物強烈吸收，使在化學鍵合中起作用的電子轉入激勵態?；瘜W鍵合在受到這種激勵時，或者分離或者改變鍵合對象，發生化學變化。電子束、X射線及離子束(即被加速的粒子)注入物質后，因與物質具有的電子相互作用，能量逐漸消失。電子束失去的能量轉移到物質的電子中，因此生成激勵狀態的電子或二次電子或離子。這些電子或離子均可誘發光刻膠的化學反應。

光刻膠產品中有沒有能抵抗氫氟酸腐蝕或溶解的呢?

當然有的,很多材料的刻蝕劑都是用HF,介紹一種正膠:X AR-P 3100/10,抗氫氟酸效果不錯.

光刻膠產品中有沒有能抵抗 70攝氏度40%質量濃度的KOH溶液 腐蝕或溶解的呢?

當然有的,很多材料的刻蝕劑都是用HF,介紹一種正膠:X AR-P 3100/10,抗氫氟酸效果不錯. 人首先應當遵從的,不是別人的意見,而是自己的良心.