中國最先進手機芯片為幾納米?
目前中國最先進的手機芯片為5納米(截至2021年),是華為的麒麟9000 5G SoC芯片.其次就是紫光展銳推出的唐古拉T770芯片,該芯片定位中低端手機市場,基于6nm…
光刻機是哪個國家生產的?
在全球高端光刻機市場,荷蘭達到全球領先水平,荷蘭ASML公司占據著全球80%的市場份額,幾乎處于壟斷地位.除了荷蘭,日本、中國也可以制造光刻機,日本的代表企業是尼康和佳能,中國的代表企業是上海微電子(SMEE).光刻機的品牌眾多,根據采用不同技術路線的可以歸納成如下幾類:高端的投影式光刻機可分為步進投影和掃描投影光刻機兩種,分辨率通常七納米至幾微米之間,高端光刻機號稱世界上最精密的儀器,世界上已有1.2億美金一臺的光刻機.高端光刻機堪稱現代光學工業之花,其制造難度之大,全世界只有少數幾家公司能夠制造.國外品牌主要以荷蘭ASML,日本Nikon和日本Canon三大品牌為主.
中國哪家的光刻機功能,性能最好?
上海微電子裝備有限公司的步進式掃描光刻機吧,估計是中國最先進的了.SSA600/20 步進掃描投影光刻機采用0.75數值孔徑和四倍縮小倍率的ArF投影物鏡、工藝自適應調焦調平技術,以及高速高精的自減振六自由度工件臺掩模臺技術,實現可用于前道IC制造90nm關鍵層和非關鍵層的先進光刻設備.此外,該設備通過采用多種可供選擇的先進專利照明技術,并配合其他分辨率增強技術,能夠滿足客戶高于90nm分辨率的生產需求.該設備可用于8寸線或12寸線的大規模工業生產. 本人親自用過,號稱能有90nm分辨率但是實際使用情況看2um還是能達到的.6寸、8寸、12寸都能生產,人際界面良好,效率還算可以,跟國外同類型機器相比故障率稍高.
集成電路制造中光刻的最新進展
前途一片光明
以中國現在的科技實力,造出像高通那樣的商業化芯片需要多久?
設計是可以設計的出,比如華為海思就已經設計出來了,但是生產方面無法搞定,你就是讓高通來他們也是找人代工的.而且這個不是有時間就能解決的問題,制造高制程芯片的高端光刻機是對中國禁售的,所以根本無法生產.如果要從頭研發光刻機,那花費的時間得10年起了.更何況如果以其他廠商現有產品為競爭對象研發,等你的光刻機研發出來,那已經是過時很久的光刻機了.
光刻機怎么制作（最好提供圖文）？
第一步：制作光刻掩膜版（Mask Reticle）
芯片設計師將CPU的功能、結構設計圖繪制完畢之后，就可將這張包含了CPU功能模塊、電路系統等物理結構的“地圖”繪制在“印刷母板”上，供批量生產了。這一步驟就是制作光刻掩膜版。
光刻掩膜版：（又稱光罩，簡稱掩膜版），是微納加工技術常用的光刻工藝所使用的圖形母版。由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜圖形結構，再通過曝光過程將圖形信息轉移到產品基片上。（*百度百科）
將設計好的半導體電路”地圖“繪制在由玻璃、石英基片、鉻層和光刻膠等構成的掩膜版上
光刻掩膜版的立體切片示意圖
第二步：晶圓覆膜準備
從砂子到硅碇再到晶圓的制作過程點此查閱，這里不再贅述。將準備好的晶圓（Wafer）扔進光刻機之前，一般通過高溫加熱方式使其表面產生氧化膜，如使用二氧化硅（覆化）作為光導纖維，便于后續的光刻流程：
第三步：在晶圓上“光刻”電路流程
使用阿斯麥的“大殺器”，將紫外（或極紫外）光通過蔡司的鏡片，照在前面準備好的集成電路掩膜版上，將設計師繪制好的“電路圖”曝光（光刻）在晶圓上。（見動圖）：
上述動圖的工作切片層級關系如下：
光刻機照射到部分的光阻會發生相應變化，一般使用顯影液將曝光部分祛除
而被光阻覆蓋部分以外的氧化膜，則需要通過與氣體反應祛除
通過上述顯影液、特殊氣體祛除無用光阻之后，通過在晶圓表面注入離子激活晶體管使之工作，進而完成半導體元件的全部建設。
做到這里可不算大功告成，這僅僅是錯綜復雜的集成電路大廈中，普通的一層“樓”而已。完整的集成電路系統中包含多層結構，晶體管、絕緣層、布線層等等：
搭建迷宮大廈一般的復雜集成電路，需要多層結構
因此，在完成一層光刻流程之后，需要把這一階段制作好的晶圓用絕緣膜覆蓋，然后重新涂上光阻，燒制下一層電路結構：
多次重復上述操作之后，芯片的多層結構搭建完畢（下圖）：
如果上圖看的不太明白，可以看看Intel的CPU芯片結構堆棧圖：
當然，我們可以通過高倍顯微鏡來觀察光刻機“燒制”多層晶圓的堆疊情況：
第四步：切蛋糕（晶圓切割）
使用光刻機燒制完畢的晶圓，包含多個芯片（Die），通過一系列檢測之后，將健康的個體們切割出來：
從晶圓上將一個個“小方塊”（芯片）切割出來
第五步：芯片封裝
將切割后的芯片焊