HCT – B/5硅片切割機(jī)排線時(shí)怎么貼膠布和打線結(jié)才不會(huì)在開始跑線時(shí)就出現(xiàn)斷線和散開的情況
打線節(jié)的方法不好怎么說哦 問下老員工就好 至于排線的方法 我個(gè)人是不喜歡跑線節(jié)的 換好鋼線打好線節(jié) 讓線節(jié)出現(xiàn)在進(jìn)線口滑輪上方的時(shí)候捏住線節(jié)逆時(shí)針轉(zhuǎn)個(gè)2圈到3圈 然后輕輕捏住讓線節(jié)跑進(jìn)導(dǎo)輪 跑個(gè)1到2圈看有沒有跳線等問題 如果沒有的話 就直接把線節(jié)跑到1厘米左右的地方 然后在線節(jié)前貼膠布 把后面的全剪掉 把膠布那里綁好就ok 關(guān)門跑個(gè)4200米左右 然后開門如果不夠長(zhǎng)就繼續(xù)把線網(wǎng)跑完整 最后把出現(xiàn)口的線節(jié)弄好跑進(jìn)去就OK 了
如何改良硅片切割技術(shù),提高產(chǎn)量和質(zhì)量?
硅片加工是一個(gè)流程,平磨,粘膠,切割,清洗,檢測(cè)等環(huán)節(jié)都會(huì)影響到產(chǎn)品的質(zhì)量,要提高產(chǎn)量的要有質(zhì)量保證的前提,而這需要整個(gè)工序的協(xié)調(diào)配合
硅片切割論壇
切割鋼絲,正常情況下,除了斷絲、線痕、切面窄之外,基本上沒有其他問題,切片的時(shí)候,很少全部報(bào)廢的,就是有時(shí)候損失大一點(diǎn)
硅片切片用金剛線切的,如果切割液和水的配比為1:150 一條30MW的生產(chǎn)線一年要用多少切割液
一片硅片4W出頭的,按照4.2W算,但是還需知道你的切割長(zhǎng)度和每刀耗損量,每個(gè)公司出入還是很大的
【請(qǐng)教】如何切割硅片?
洛陽學(xué)子(站內(nèi)聯(lián)系TA)線切割就可以的wachonglong(站內(nèi)聯(lián)系TA)使用金剛石樹脂超薄切割片solgeltech(站內(nèi)聯(lián)系TA)估計(jì)不很好切 不過可以問問賣硅片的 或者直接買一寸(2.5cm直徑)硅片
數(shù)控多線硅片切割機(jī)床中的多線是什么意思?是多條線同時(shí)切割嗎?
是一根線但是纏在刻有很多槽的導(dǎo)輪上形成線網(wǎng),就有有大約一千多條線在同時(shí)切割.
硅棒\硅片加工生產(chǎn)
目前超過98％的電子元件材料全部使用單晶硅。其中用CZ法占了約85％，其他部份則是由浮融法FZ生長(zhǎng)法。CZ法生長(zhǎng)出的單晶硅，用在生產(chǎn)低功率的集成電路元件。而FZ法生長(zhǎng)出的單晶硅則主要用在高功率的電子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半導(dǎo)體工業(yè)采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片強(qiáng)化的優(yōu)點(diǎn)。另外一個(gè)原因是CZ法比FZ法更容易生產(chǎn)出大尺寸的單晶硅棒。
目前國(guó)內(nèi)主要采用CZ法
CZ法主要設(shè)備：CZ生長(zhǎng)爐
CZ法生長(zhǎng)爐的組成元件可分成四部分
（1）爐體：包括石英坩堝，石墨坩堝，加熱及絕熱元件，爐壁
（2）晶棒及坩堝拉升旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)：包括籽晶夾頭，吊線及拉升旋轉(zhuǎn)元件
（3）氣氛壓力控制：包括氣體流量控制，真空系統(tǒng)及壓力控制閥
（4）控制系統(tǒng)：包括偵測(cè)感應(yīng)器及電腦控制系統(tǒng)
加工工藝：
加料→熔化→縮頸生長(zhǎng)→放肩生長(zhǎng)→等徑生長(zhǎng)→尾部生長(zhǎng)
（1）加料：將多晶硅原料及雜質(zhì)放入石英坩堝內(nèi)，雜質(zhì)的種類依電阻的N或P型而定。雜質(zhì)種類有硼，磷，銻，砷。
（2）熔化：加完多晶硅原料于石英堝內(nèi)后，長(zhǎng)晶爐必須關(guān)閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內(nèi)，然后打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。
（3）縮頸生長(zhǎng)：當(dāng)硅熔體的溫度穩(wěn)定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由于籽晶與硅熔體場(chǎng)接觸時(shí)的熱應(yīng)力，會(huì)使籽晶產(chǎn)生位錯(cuò)，這些位錯(cuò)必須利用縮勁生長(zhǎng)使之消失掉。縮頸生長(zhǎng)是將籽晶快速向上提升，使長(zhǎng)出的籽晶的直徑縮小到一定大小（4-6mm）由于位錯(cuò)線與生長(zhǎng)軸成一個(gè)交角，只要縮頸夠長(zhǎng)，位錯(cuò)便能長(zhǎng)出晶體表面，產(chǎn)生零位錯(cuò)的晶體。
（4）放肩生長(zhǎng)：長(zhǎng)完細(xì)頸之后，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。
（5）等徑生長(zhǎng)：長(zhǎng)完細(xì)頸和肩部之后，借著拉速與溫度的不斷調(diào)整，可使晶棒直徑維持在正負(fù)2mm之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶硅片取自于等徑部分。
（6）尾部生長(zhǎng)：在長(zhǎng)完等徑部分之后，如果立刻將晶棒與液面分開，那么效應(yīng)力將使得晶棒出現(xiàn)位錯(cuò)與滑移線。于是為了避免此問題的發(fā)生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點(diǎn)而與液面分開。這一過程稱之為尾部生長(zhǎng)。長(zhǎng)完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時(shí)間后取出，即完成一次生長(zhǎng)周期。
單晶硅棒加工成單晶硅拋光硅片
加工流程：
單晶生長(zhǎng)→切斷→外徑滾磨→平邊或V型槽處理→切片
倒角→研磨 腐蝕–拋光→清洗→包裝
切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分，將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長(zhǎng)度，切取試片測(cè)量單晶硅棒的電阻率含氧量。
切斷的設(shè)備：內(nèi)園切割機(jī)或外園切割機(jī)
切斷用主要進(jìn)口材料：刀片
外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。
外徑滾磨的設(shè)備：磨床
平邊或V型槽處理：指方位及指定加工，用以單晶硅捧上的特定結(jié)晶方向平邊或V型。
處理的設(shè)備：磨床及X－RAY繞射儀。
切片：指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶片。
切片的設(shè)備：內(nèi)園切割機(jī)或線切割機(jī)
倒角：指將切割成的晶片稅利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。
倒角的主要設(shè)備：倒角機(jī)
研磨：指通過研磨能除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達(dá)到一個(gè)拋光過程可以處理的規(guī)格。
研磨的設(shè)備：研磨機(jī)（雙面研磨）
主要原料：研磨漿料（主要成份為氧化鋁，鉻砂，水），滑浮液。
腐蝕：指經(jīng)切片及研磨等機(jī)械加工后，晶片表面受加工應(yīng)力而形成的損傷層，通常采用化學(xué)腐蝕去除。
腐蝕的方式：（A）酸性腐蝕，是最普遍被采用的。酸性腐蝕液由硝酸（HNO3），氫氟酸（HF），及一些緩沖酸（CH3COCH，H3PO4）組成。
（B）堿性腐蝕，堿性腐蝕液由KOH或NaOH加純水組成。
拋光：指單晶硅片表面需要改善微缺陷，從而獲得高平坦度晶片的拋光。
拋光的設(shè)備：多片式拋光機(jī)，單片式拋光機(jī)。
拋光的方式：粗拋：主要作用去除損傷層，一般去除量約在10－20um；
精拋：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下
主要原料：拋光液由具有SiO2的微細(xì)懸硅酸膠及NaOH（或KOH或NH4OH）組成，分為粗拋漿和精拋漿。
清洗：在單晶硅片加工過程中很多步驟需要用到清洗，這里的清洗主要是拋光后的最終清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。
清洗的方式：主要是傳統(tǒng)的RCA濕式化學(xué)洗凈技術(shù)。
主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL
（3）損耗產(chǎn)生的原因
A.多晶硅–單晶硅棒
多晶硅加工成單晶硅棒過程中：如產(chǎn)生損耗是重?fù)綀宓琢稀㈩^尾料則無法再利用，只能當(dāng)成冶金行業(yè)如煉鐵、煉鋁等用作添加劑；如產(chǎn)生損耗是非重?fù)綀宓琢稀㈩^尾料可利用制成低檔次的硅產(chǎn)品，此部分應(yīng)按邊角料征稅。
重?fù)搅鲜侵笇⒍嗑Ч柙霞敖咏柡土康碾s質(zhì)（種類有硼，磷，銻，砷。雜質(zhì)的種類依電阻的N或P型）放入石英坩堝內(nèi)溶化而成的料。
重?fù)搅现饕糜谏a(chǎn)低電阻率（電阻率＜0.011歐姆／厘米）的硅片。
損耗：?jiǎn)尉Ю仆戤吅蟮膱宓琢霞s15％。
單晶硅棒整形過程中的頭尾料約20％。
單晶整形過程中（外徑磨削工序）由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過外徑磨削可以獲得較為精確的直徑。損耗約10％-13％。
希望能對(duì)你有幫助!
單晶硅線切割工藝質(zhì)量如何控制?
可能最直接的就是控制碳化硅晶型了.碳化硅顆粒的形狀直接關(guān)系到單晶硅、多晶硅的產(chǎn)品質(zhì)量,即碳化硅顆粒的形狀變化可以影響到單晶硅、多晶硅的切割效率、切割的成品率.(顆粒圓度、橢圓度、等效圓 、長(zhǎng)寬比等).還有大顆粒也會(huì)切損單晶硅硅片. 建議還是采用顆粒分析儀對(duì)于單晶硅、多晶硅企業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量控制、工藝過程監(jiān)控提供良好的技術(shù)支持.我們用的是瑞思光學(xué)的RA300智能顆粒分析儀.
硅片切割一般有什么難點(diǎn)啊？
現(xiàn)在光伏行業(yè)興興向榮，發(fā)展迅速。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，現(xiàn)在全國(guó)已有兩百多家硅片生產(chǎn)企業(yè)。2014年中國(guó)多晶硅生產(chǎn)規(guī)模明顯增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)全年產(chǎn)量將超過13萬噸，和2013年的8萬噸相比，同比增加62.5%，其中前三季度多晶硅產(chǎn)量已經(jīng)達(dá)到9.8萬噸。硅片產(chǎn)能迅速增長(zhǎng)勢(shì)必帶來硅片切割液的需求量增加。但現(xiàn)在硅片切割液呈現(xiàn)的問題依舊比較突出，主要表現(xiàn)在以下五個(gè)方面：
1、切割后的表面TTV大，有線痕：由于硅片在切割過程中會(huì)發(fā)生脆性崩裂或劃痕，影響了硅片表面的粗糙度和翹曲度，使得所加工的硅片總厚度存在誤差。
2、不耐酸耐腐：由于硅片切割設(shè)備在酸性環(huán)境下會(huì)生銹腐蝕，質(zhì)量差的切割液會(huì)加重腐蝕程度，所以如何防腐防銹是判斷硅片切割液優(yōu)劣的關(guān)鍵所在。
3、使用壽命短：現(xiàn)在很多硅片切割液使用的添加劑質(zhì)量差，不利于切割后清洗，從而縮短了金剛砂線的使用壽命。
4、產(chǎn)生氫氣：切割過程中切屑硅粉由于粒度太細(xì)與水反應(yīng)會(huì)釋放出氫氣，長(zhǎng)時(shí)間的生產(chǎn)積累會(huì)產(chǎn)生安全隱患。
5、生產(chǎn)成本高：目前很多切割液由于技術(shù)和使用方法的局限，不能回收利用，無形中又增加了企業(yè)的運(yùn)營(yíng)成本。
由于這五大難題的客觀存在，使得很多硅片生產(chǎn)廠家陷入了困境。不及時(shí)解決這個(gè)問題，不僅嚴(yán)重影響了生產(chǎn)，更會(huì)制約企業(yè)的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展。
基于以上幾大難題，常州君合科技研制出了一種新型的硅片切割液——金剛砂線切割液。它是一種新型產(chǎn)品，主要用于單晶硅、多晶硅等非金屬脆硬材料的金剛砂線切割，具有優(yōu)異的潤(rùn)滑、冷卻、防腐、防銹、氫氣抑制功能，切割后的硅片表面TTV小，無線痕，并且能夠延長(zhǎng)金剛砂線的使用壽命。而且無需稀釋，可以直接使用在硅片切割的線切割機(jī)床上。由于其優(yōu)越的潤(rùn)滑防銹性能，完美的解決了硅片在切割過程中產(chǎn)生的各種問題，減少了生產(chǎn)成本，從而減輕了企業(yè)的負(fù)擔(dān)。
激光晶體的切割
激光可以切割晶體，但是沿晶軸切割和沿折射率主軸切割是有不同的。
看下面解釋：
制備符合硅器件和集成電路制作要求的單晶硅片的工藝，包括滾磨、切割、研磨、倒角、化學(xué)腐蝕、拋光，以及幾何尺寸和表面質(zhì)量檢測(cè)等工序。
滾磨 切片前先將硅單晶棒研磨成具有精確直徑的單晶棒,再沿單晶棒的晶軸方向研磨出主、次參考面,用氫氟酸、硝酸和冰醋酸的混合液腐蝕研磨面，稱為減徑腐蝕。
切割 也稱切片，把硅單晶棒切成所需形狀的硅片（如圓片）的工藝。切割分外圓切割、超聲切割、電子束切割和普遍采用的內(nèi)圓切割等。
研磨 也稱磨片，在研磨機(jī)上，用白剛玉或金剛砂等配制的研磨液將硅片研磨成具有一定厚度和光潔度的工藝。有單面研磨和雙面研磨兩種方式。
倒角 為解決硅片邊緣碎裂所引起的表面質(zhì)量下降，以及光刻涂膠和外延的邊緣凸起等問題的邊緣弧形工藝。倒角方法有磨削、噴砂、化學(xué)腐蝕和恰當(dāng)?shù)膾伖獾龋^普遍采用的是用倒角機(jī)以成型的砂輪磨削硅片邊緣，直到硅片邊緣形狀與輪的形狀一致為止。