半導(dǎo)體封裝測(cè)試方面,都需要用到哪些設(shè)備

1. 基本封裝設(shè)備: B/G: 磨片 lamination:貼膜 DA: 貼片 W/B:打線 Mold:塑封 marking:打印 S/G:切割 2. 基本測(cè)試設(shè)備: B/I 設(shè)備: 對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行信賴性評(píng)價(jià) test設(shè)備: 對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行電性測(cè)試; LIS: 對(duì)產(chǎn)品外觀進(jìn)行檢查

電子封裝測(cè)試是什么?

電子封裝測(cè)試指的是對(duì)電子封裝產(chǎn)品進(jìn)行相應(yīng)的檢測(cè),從而查找故障并予以解決.方法主要是把產(chǎn)品中模塊進(jìn)行對(duì)應(yīng)的引到其他的電子芯片上,然后對(duì)每個(gè)模塊進(jìn)行檢查,直到找到故障的模塊并查找原因.這是對(duì)故障產(chǎn)品進(jìn)行檢測(cè),另外對(duì)封裝產(chǎn)品的可靠性檢測(cè)是采用相應(yīng)的檢測(cè)設(shè)備對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行物理撞擊,化學(xué)腐蝕,惡劣環(huán)境的適應(yīng)等等來(lái)判斷電子封裝產(chǎn)品的可靠安全性.

芯片封裝的主要步驟是什么啊？

板上芯片（Chip On Board, COB)工藝過(guò)程首先是在基底表面用導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂(一般用摻銀顆粒的環(huán)氧樹(shù)脂)覆蓋硅片安放點(diǎn)，然后將硅片直接安放在基底表面，熱處理至硅片牢固地固定在基底為止，隨后再用絲焊的方法在硅片和基底之間直接建立電氣連接。

裸芯片技術(shù)主要有兩種形式：一種是COB技術(shù)，另一種是倒裝片技術(shù)（Flip Chip）。板上芯片封裝（COB），半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用樹(shù)脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB是最簡(jiǎn)單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB和倒片焊技術(shù)。

COB主要的焊接方法：

（1）熱壓焊

利用加熱和加壓力使金屬絲與焊區(qū)壓焊在一起。其原理是通過(guò)加熱和加壓力，使焊區(qū)（如AI）發(fā)生塑性形變同時(shí)破壞壓焊界面上的氧化層，從而使原子間產(chǎn)生吸引力達(dá)到“鍵合”的目的，此外，兩金屬界面不平整加熱加壓時(shí)可使上下的金屬相互鑲嵌。此技術(shù)一般用為玻璃板上芯片COG。

（2）超聲焊

超聲焊是利用超聲波發(fā)生器產(chǎn)生的能量，通過(guò)換能器在超高頻的磁場(chǎng)感應(yīng)下，迅速伸縮產(chǎn)生彈性振動(dòng)，使劈刀相應(yīng)振動(dòng)，同時(shí)在劈刀上施加一定的壓力，于是劈刀在這兩種力的共同作用下，帶動(dòng)AI絲在被焊區(qū)的金屬化層如（AI膜）表面迅速摩擦，使AI絲和AI膜表面產(chǎn)生塑性變形，這種形變也破壞了AI層界面的氧化層，使兩個(gè)純凈的金屬表面緊密接觸達(dá)到原子間的結(jié)合，從而形成焊接。主要焊接材料為鋁線焊頭，一般為楔形。

（3）金絲焊

球焊在引線鍵合中是最具代表性的焊接技術(shù)，因?yàn)楝F(xiàn)在的半導(dǎo)體封裝二、三極管封裝都采用AU線球焊。而且它操作方便、靈活、焊點(diǎn)牢固（直徑為25UM的AU絲的焊接強(qiáng)度一般為0.07～0.09N/點(diǎn)），又無(wú)方向性，焊接速度可高達(dá)15點(diǎn)/秒以上。金絲焊也叫熱（壓）（超）聲焊主要鍵合材料為金（AU）線焊頭為球形故為球焊。

COB封裝流程

第一步：擴(kuò)晶。采用擴(kuò)張機(jī)將廠商提供的整張LED晶片薄膜均勻擴(kuò)張，使附著在薄膜表面緊密排列的LED晶粒拉開(kāi)，便于刺晶。

第二步：背膠。將擴(kuò)好晶的擴(kuò)晶環(huán)放在已刮好銀漿層的背膠機(jī)面上，背上銀漿。點(diǎn)銀漿。適用于散裝LED芯片。采用點(diǎn)膠機(jī)將適量的銀漿點(diǎn)在PCB印刷線路板上。

第三步：將備好銀漿的擴(kuò)晶環(huán)放入刺晶架中，由操作員在顯微鏡下將LED晶片用刺晶筆刺在PCB印刷線路板上。

第四步：將刺好晶的PCB印刷線路板放入熱循環(huán)烘箱中恒溫靜置一段時(shí)間，待銀漿固化后取出(不可久置，不然LED芯片鍍層會(huì)烤黃，即氧化，給邦定造成困難)。如果有LED芯片邦定，則需要以上幾個(gè)步驟；如果只有IC芯片邦定則取消以上步驟。

第五步：粘芯片。用點(diǎn)膠機(jī)在PCB印刷線路板的IC位置上適量的紅膠(或黑膠)，再用防靜電設(shè)備(真空吸筆或子)將IC裸片正確放在紅膠或黑膠上。

第六步：烘干。將粘好裸片放入熱循環(huán)烘箱中放在大平面加熱板上恒溫靜置一段時(shí)間，也可以自然固化(時(shí)間較長(zhǎng))。

第七步：邦定(打線)。采用鋁絲焊線機(jī)將晶片(LED晶粒或IC芯片)與PCB板上對(duì)應(yīng)的焊盤鋁絲進(jìn)行橋接，即COB的內(nèi)引線焊接。

第八步：前測(cè)。使用專用檢測(cè)工具(按不同用途的COB有不同的設(shè)備，簡(jiǎn)單的就是高精密度穩(wěn)壓電源)檢測(cè)COB板，將不合格的板子重新返修。

第九步：點(diǎn)膠。采用點(diǎn)膠機(jī)將調(diào)配好的AB膠適量地點(diǎn)到邦定好的LED晶粒上，IC則用黑膠封裝，然后根據(jù)客戶要求進(jìn)行外觀封裝。

第十步：固化。將封好膠的PCB印刷線路板放入熱循環(huán)烘箱中恒溫靜置，根據(jù)要求可設(shè)定不同的烘干時(shí)間。

第十一步：后測(cè)。將封裝好的PCB印刷線路板再用專用的檢測(cè)工具進(jìn)行電氣性能測(cè)試，區(qū)分好壞優(yōu)劣。

與其它封裝技術(shù)相比，COB技術(shù)價(jià)格低廉（僅為同芯片的1/3左右）、節(jié)約空間、工藝成熟。但任何新技術(shù)在剛出現(xiàn)時(shí)都不可能十全十美，COB技術(shù)也存在著需要另配焊接機(jī)及封裝機(jī)、有時(shí)速度跟不上以及PCB貼片對(duì)環(huán)境要求更為嚴(yán)格和無(wú)法維修等缺點(diǎn)。

某些板上芯片(CoB)的布局可以改善IC信號(hào)性能，因?yàn)樗鼈內(nèi)サ袅舜蟛糠只蛉糠庋b，也就是去掉了大部分或全部寄生器件。然而，伴隨著這些技術(shù)，可能存在一些性能問(wèn)題。在所有這些設(shè)計(jì)中，由于有引線框架片或BGA標(biāo)志，襯底可能不會(huì)很好地連接到VCC或地。可能存在的問(wèn)題包括熱膨脹系數(shù)(CTE)問(wèn)題以及不良的襯底連接。

將芯片封裝在一個(gè)封裝體內(nèi)或其表面上是封裝界沿用了多年的一種傳統(tǒng)的封裝技術(shù)。如LPCC、TBGA、SOIC和DIPS等都采用這種封裝方法。90年代以來(lái)，隨著應(yīng)用領(lǐng)域的大力驅(qū)動(dòng)，封裝技術(shù)不斷取得日新月異的進(jìn)展。單從封裝技術(shù)新名詞的涌現(xiàn)速度就足以說(shuō)明封裝技術(shù)的不斷發(fā)展。近幾年在各種期刊和會(huì)議錄文章中出現(xiàn)的封裝技術(shù)縮略詞更是層出不窮，令人眼花繚亂，應(yīng)接不暇。

人們對(duì)銅引線框架的特性及其相關(guān)的工藝技術(shù)并不陌生。采用金線與其它合金(如銅等)的引線鍵合技術(shù)已接近完美的程度。最近幾年，引線鍵合的節(jié)距(交錯(cuò)節(jié)距)不斷減小，已由原來(lái)的100μm降至80μm、50μm、35μm，2002年已降至25μm。目前的封裝多采用下列兩種形式：1種是采用封帽的氣密封裝；另一種是采用模壓化合物或液體密封劑的灌封方式，使最終的封裝體能經(jīng)受住可靠性測(cè)試。此外，與PCB的互連采用針式引線，其形狀可分為直接鷗翼形成“J”形。三四年以前，制造產(chǎn)品的最終目的通常是最大限度地延長(zhǎng)使用壽命。但如今的情況已大不相同了，消費(fèi)類產(chǎn)品已達(dá)到極為豐富的程度。一旦產(chǎn)品出現(xiàn)故障，人們通常采用的方法是棄舊購(gòu)新，因?yàn)橘?gòu)買新產(chǎn)品的價(jià)格甚至比維修還要?jiǎng)澦恪＿@也足以說(shuō)明，大部分產(chǎn)品的價(jià)格已發(fā)生了許多變化。

2 倒裝芯片技術(shù)的發(fā)展

30多年前，“倒裝芯片”問(wèn)世。當(dāng)時(shí)為其冠名為“C4”，即“可控熔塌芯片互連”技術(shù)。該技術(shù)首先采用銅，然后在芯片與基板之間制作高鉛焊球。銅或高鉛焊球與基板之間的連接通過(guò)易熔焊料來(lái)實(shí)現(xiàn)。此后不久出現(xiàn)了適用于汽車市場(chǎng)的“封帽上的柔性材料(FOC)”；還有人采用Sn封帽，即蒸發(fā)擴(kuò)展易熔面或E3工藝對(duì)C4工藝做了進(jìn)一步的改進(jìn)。C4工藝盡管實(shí)現(xiàn)起來(lái)比較昂貴(包括許可證費(fèi)用與設(shè)備的費(fèi)用等)，但它還是為封裝技術(shù)提供了許多性能與成本優(yōu)勢(shì)。與引線鍵合工藝不同的是，倒裝芯片可以批量完成，因此還是比較劃算。

由于新型封裝技術(shù)和工藝不斷以驚人的速度涌現(xiàn)，因此完成具有數(shù)千個(gè)凸點(diǎn)的芯片設(shè)計(jì)目前已不存在大的技術(shù)障礙小封裝技術(shù)工程師可以運(yùn)用新型模擬軟件輕易地完成各種電、熱、機(jī)械與數(shù)學(xué)模擬。此外，以前一些世界知名公司專為內(nèi)部使用而設(shè)計(jì)的專用工具目前已得到廣泛應(yīng)用。為此設(shè)計(jì)人員完全可以利用這些新工具和新工藝最大限度地提高設(shè)計(jì)性，最大限度地縮短面市的時(shí)間。

無(wú)論人們對(duì)此抱何種態(tài)度，倒裝芯片已經(jīng)開(kāi)始了一場(chǎng)工藝和封裝技術(shù)革命，而且由于新材料和新工具的不斷涌現(xiàn)使倒裝芯片技術(shù)經(jīng)過(guò)這么多年的發(fā)展以后仍能處于不斷的變革之中。為了滿足組裝工藝和芯片設(shè)計(jì)不斷變化的需求，基片技術(shù)領(lǐng)域正在開(kāi)發(fā)新的基板技術(shù)，模擬和設(shè)計(jì)軟件也不斷更新升級(jí)。因此，如何平衡用最新技術(shù)設(shè)計(jì)產(chǎn)品的愿望與以何種適當(dāng)款式投放產(chǎn)品之間的矛盾就成為一項(xiàng)必須面對(duì)的重大挑戰(zhàn)。

由于受互連網(wǎng)帶寬不斷變化以及下面列舉的一些其它因素的影響，許多設(shè)計(jì)人員和公司不得不轉(zhuǎn)向倒裝芯片技術(shù)。

其它因素包括：

①減小信號(hào)電感——40Gbps(與基板的設(shè)計(jì)有關(guān))；

②降低電源／接地電感；

③提高信號(hào)的完整性；

④最佳的熱、電性能和最高的可靠性；

⑤減少封裝的引腳數(shù)量；

⑥超出引線鍵合能力，外圍或整個(gè)面陣設(shè)計(jì)的高凸點(diǎn)數(shù)量；

⑦當(dāng)節(jié)距接近200μm設(shè)計(jì)時(shí)允許；S片縮小(受焊點(diǎn)限制的芯片)；

⑧允許BOAC設(shè)計(jì)，即在有源電路上進(jìn)行凸點(diǎn)設(shè)計(jì)。

然而，由于倒裝芯片工藝的固有特點(diǎn)使采用倒裝芯片工藝制作的封裝并非是全密封的，且還要使用剛性凸點(diǎn)。在這一點(diǎn)上，它與采用引線鍵合將芯片與基板相連接的方法有所不同。許多早期的C4設(shè)計(jì)都與芯片(熱膨脹系數(shù)，即CTE約為2．3-2．8ppm)一起組裝在陶瓷基板(CTE為7ppm)上。這種設(shè)計(jì)通常需要底部填料以確保芯片與基板的可靠連接。底部填充的主要作用是彌補(bǔ)芯片與基板之間在功率與／或熱循環(huán)期間出現(xiàn)的CTE失配，而不起隔離潮濕的作用。CTE失配有可能造成芯片與基板以不同的速度膨脹和收縮，最終會(huì)導(dǎo)致芯片的斷裂。

倒裝芯片工藝自問(wèn)世以來(lái)一直在微電子封裝中得到廣泛應(yīng)用。最近5年由于對(duì)提高性能，增加凸點(diǎn)數(shù)量和降低成本等方面不斷提出新的要求。為了滿足這些要求，許多知名大公司已對(duì)倒裝芯片技術(shù)做了許多改進(jìn)。由于芯片尺寸已經(jīng)增加，凸點(diǎn)節(jié)距已經(jīng)減小，促進(jìn)新型基板材料不斷問(wèn)世，芯片凸點(diǎn)制作工藝和底部填充技術(shù)不斷改善，環(huán)保型無(wú)鉛焊料逐步得到廣泛應(yīng)用，致使互連的選擇越來(lái)越廣泛。

3 新工藝問(wèn)世

最近幾年由于應(yīng)用領(lǐng)域不斷對(duì)工藝提出新的要求，世界各國(guó)，尤其是美國(guó)從事封裝技術(shù)研究的機(jī)構(gòu)和公司都紛紛推出其新的工藝和技術(shù)。這些新的工藝可省去以往那些價(jià)格昂貴的基板和工藝步驟，直接在PCB上安裝更小的芯片。這些工藝尤其適用于低成本的消費(fèi)類產(chǎn)品。此外，最近一些公司還開(kāi)發(fā)出一種采用有機(jī)基板的新工藝。這種有機(jī)基板的最大優(yōu)勢(shì)在于它的制造成本。它比陶瓷基板工藝的成本要低得多，而設(shè)計(jì)的線條卻可以達(dá)到非常細(xì)密的程度。自從有機(jī)基板出現(xiàn)以來(lái)，為了滿足日益縮小的特征尺寸的要求，許多公司已開(kāi)發(fā)出有機(jī)基板專用的工具和工藝技術(shù)。

可供選擇的基板材料十分豐富，包括柔性基板(帶狀)、疊層基板(FR-4、FR-5、BTTM等)、組合基板(有機(jī)組合薄層或疊層上的薄膜介質(zhì)材料)、氧化鋁陶瓷、HiTCETM陶瓷、以及具有BCBTM介質(zhì)層的玻璃基板等，可謂應(yīng)有盡有。幾年前，如果一個(gè) 高速芯片組件所耗的功率較高，凸點(diǎn)在2000個(gè)以上，節(jié)距為200pm的話，其制造難度與制作成本將會(huì)高的難以想像。但就目前的工藝設(shè)備與技術(shù)能力而言，對(duì)同類難度產(chǎn)品的制造與組裝成品率都已達(dá)到相當(dāng)高的水平，且制造成本已趨于合理化。推動(dòng)這些新工藝發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力是什么呢?其實(shí)，與任何新技術(shù)相同，推動(dòng)其發(fā)展的動(dòng)力仍是為了達(dá)到生產(chǎn)與樣品基板的普及性、基板與組裝成本、封裝設(shè)計(jì)要求與可靠性等因素之間的平衡。

4 成本問(wèn)題

像其它技術(shù)一樣，倒裝芯片技術(shù)的制造成本仍然與技術(shù)和批量大小密切相關(guān)。目前大多數(shù)工藝的成本仍然十分高昂，而標(biāo)準(zhǔn)工藝仍受批量生產(chǎn)程度的驅(qū)使。此外，可靠性也是需要解決的一個(gè)問(wèn)題。許多公司在進(jìn)行有機(jī)封裝時(shí)仍在使用針對(duì)氣密封裝的可靠性標(biāo)準(zhǔn)。目前有許多公司正在和JEDEC討論解決這一問(wèn)題的辦法。近一段時(shí)間，各種科技期刊報(bào)道了多篇論述這一問(wèn)題的文章。估計(jì)在不遠(yuǎn)的將來(lái)有望出臺(tái)一套專門適用于有機(jī)封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)。與此同時(shí)，供應(yīng)商與用戶也在不斷努力，為滿足單個(gè)用戶的特殊要求提供必要的可靠性。過(guò)去，IC封裝通常需要進(jìn)行下面一系列的可靠性測(cè)試。

①在121℃下進(jìn)行168個(gè)小時(shí)的相對(duì)濕度壓力鍋蒸煮試驗(yàn)(RH-PCT)；

②在150℃下完成1000小時(shí)的高溫存儲(chǔ)(HTSL)試驗(yàn)；

③在85℃下完成1000小時(shí)，85％相對(duì)濕度溫度-溫度偏壓試驗(yàn)(RH-THBT)；

④在-55℃-+125℃下完成1000個(gè)循環(huán)。

⑤在130℃下完成超過(guò)168小時(shí)，85％相對(duì)濕度強(qiáng)加速溫濕應(yīng)力試驗(yàn)(RH-HSAT)。

封裝與PCB的二級(jí)可靠性包括許多項(xiàng)不同的測(cè)試。這些測(cè)試需要在0℃-100℃下完成300個(gè)循環(huán)。JEDEC對(duì)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和循環(huán)的停留時(shí)間做了十分詳細(xì)的規(guī)定。

隨著有機(jī)封裝應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大，可靠性問(wèn)題將成為該技術(shù)面臨的主要挑戰(zhàn)。其中由潮氣吸收引起的分層，以及由封裝結(jié)構(gòu)的精細(xì)程度和電流密度過(guò)高引起的電遷移等問(wèn)題都必須得到更多的關(guān)注。聚酰亞胺是吸潮性能最差的材料之一。盡管目前的一層或兩層帶狀生產(chǎn)都采用這種材料，但它與銅的粘接性能較差，因此有機(jī)封裝要想取得長(zhǎng)足發(fā)展必須解決這些問(wèn)題。

5 失效機(jī)理

要充分理解材料在使用過(guò)程中出現(xiàn)的失效機(jī)理仍需要通過(guò)濕氣和腐蝕測(cè)試，如PCT和HAST等。不過(guò)這些測(cè)試是否應(yīng)該用作鑒定失效的基本條件仍有爭(zhēng)議。這些問(wèn)題還有待JEDEC和其它機(jī)構(gòu)的進(jìn)一步商議。除此之外，封裝界還在探討其它的測(cè)試手段。一些公司認(rèn)為，一理了解了失效的機(jī)理就可以取消某些測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。

然而，一些特殊應(yīng)用的產(chǎn)品仍要與許多噴氣式飛機(jī)部件、醫(yī)療部件、衛(wèi)星、導(dǎo)彈等一起進(jìn)行溫度循環(huán)實(shí)驗(yàn)。在這類情況下仍需要可靠性更高、壽命更長(zhǎng)的倒裝芯片封裝。因此必須開(kāi)發(fā)一種適合高速大功耗(5—100W)工作的芯片工藝技術(shù)。這類芯片的凸點(diǎn)通常在2000-5000個(gè)，節(jié)距在200μm或以下。盡管有許多公司正在從事這方面的研究，但誰(shuí)會(huì)成為最大的贏家目前尚不明朗。

迄今為止，每個(gè)公司都在制訂各自的工作目標(biāo)，因此市場(chǎng)上的工藝技術(shù)及支撐產(chǎn)品的種類十分繁雜。主要包括CSP、DCA、COB和FCBGA(倒裝

芯片焊球網(wǎng)絡(luò)陣列)等。

6 選擇

倒裝芯片的最終結(jié)果是一個(gè)封裝，但它本身是一種工藝而并非封裝。可以采用各種不同的方法改變工藝以滿足各種不同的應(yīng)用要求。最基本的步驟包括：制作芯片封裝凸點(diǎn)、切片、將芯片倒裝在基板或載體上、芯片與基板再流焊、在芯片與基板之間進(jìn)行底部填充、老化、制作BGA焊球、將最終的封裝組裝到另一塊印制電路板(通常為FR-4)上。

是否選擇倒裝芯片技術(shù)作為最終的封裝選擇主要取決于基板的選擇。通常基板必須符合下列要求：

①芯片的電學(xué)要求(電感、電容、電阻、傳播延遲、EMI等)；

②根據(jù)供應(yīng)商提供的基板設(shè)計(jì)特點(diǎn)(線條、間隔、通孔尺寸、通孔直徑等)進(jìn)行設(shè)計(jì)；

③成本要求；

④焊球或焊膏(含鉛或無(wú)鉛)的組份；

⑤熱性能要求；

⑥尺寸要求；

⑦應(yīng)用對(duì)封裝可靠性的要求；

⑧應(yīng)用對(duì)PCB或二極可靠性的要求。

7 結(jié)論

綜上所述，在設(shè)計(jì)或制造中遇到問(wèn)題時(shí)應(yīng)常與組裝伙伴共同商討對(duì)策。因?yàn)樗麄兯鶕碛械哪M軟件可以對(duì)任何電參數(shù)和熱特性進(jìn)行模擬，可最終選出最佳的封裝手段；他們的建模能力可滿足新型設(shè)計(jì)的高速要求；他們擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)和可靠的數(shù)據(jù),完全可根據(jù)設(shè)計(jì)方案完成產(chǎn)品的生產(chǎn)和制作；他們還擁有對(duì)最終產(chǎn)品的測(cè)試能力，還可以就材料的選擇、熱選擇、焊料合金和組裝結(jié)構(gòu)提出切實(shí)可行的建議。

半導(dǎo)體封裝，半導(dǎo)體封裝是什么意思

半導(dǎo)體封裝簡(jiǎn)介:

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造、晶圓測(cè)試、芯片封裝和封裝后測(cè)試組成。半導(dǎo)體封裝是指將通過(guò)測(cè)試的晶圓按照產(chǎn)品型號(hào)及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過(guò)程。封裝過(guò)程為：來(lái)自晶圓前道工藝的晶圓通過(guò)劃片工藝后，被切割為小的晶片（Die），然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應(yīng)的基板（引線框架）架的小島上，再利用超細(xì)的金屬（金、錫、銅、鋁）導(dǎo)線或者導(dǎo)電性樹(shù)脂將晶片的接合焊盤（Bond Pad）連接到基板的相應(yīng)引腳（Lead）,并構(gòu)成所要求的電路；然后再對(duì)獨(dú)立的晶片用塑料外殼加以封裝保護(hù)，塑封之后，還要進(jìn)行一系列操作，如后固化（Post Mold Cure）、切筋和成型（Trim&Form）、電鍍（Plating）以及打印等工藝。封裝完成后進(jìn)行成品測(cè)試，通常經(jīng)過(guò)入檢（Incoming）、測(cè)試（Test）和包裝（Packing）等工序，最后入庫(kù)出貨。典型的封裝工藝流程為：劃片 裝片 鍵合 塑封 去飛邊 電鍍 打印 切筋和成型 外觀檢查 成品測(cè)試 包裝出貨。

1 半導(dǎo)體器件封裝概述

電子產(chǎn)品是由半導(dǎo)體器件(集成電路和分立器件)、印刷線路板、導(dǎo)線、整機(jī)框架、外殼及顯示等部分組成，其中集成電路是用來(lái)處理和控制信號(hào)，分立器件通常是信號(hào)放大，印刷線路板和導(dǎo)線是用來(lái)連接信號(hào)，整機(jī)框架外殼是起支撐和保護(hù)作用，顯示部分是作為與人溝通的接口。所以說(shuō)半導(dǎo)體器件是電子產(chǎn)品的主要和重要組成部分，在電子工業(yè)有“工業(yè)之米”的美稱。

我國(guó)在上世紀(jì)60年代自行研制和生產(chǎn)了第一臺(tái)計(jì)算機(jī)，其占用面積大約為100 m2以上，現(xiàn)在的便攜式計(jì)算機(jī)只有書(shū)包大小，而將來(lái)的計(jì)算機(jī)可能只與鋼筆一樣大小或更小。計(jì)算機(jī)體積的這種迅速縮小而其功能越來(lái)越強(qiáng)大就是半導(dǎo)體科技發(fā)展的一個(gè)很好的佐證，其功勞主要?dú)w結(jié)于：(1)半導(dǎo)體芯片集成度的大幅度提高和晶圓制造(Wafer fabrication)中光刻精度的提高，使得芯片的功能日益強(qiáng)大而尺寸反而更小；(2)半導(dǎo)體封裝技術(shù)的提高從而大大地提高了印刷線路板上集成電路的密集度，使得電子產(chǎn)品的體積大幅度地降低。

半導(dǎo)體組裝技術(shù)(Assembly technology)的提高主要體現(xiàn)在它的封裝型式(Package)不斷發(fā)展。通常所指的組裝(Assembly)可定義為：利用膜技術(shù)及微細(xì)連接技術(shù)將半導(dǎo)體芯片(Chip)和框架(Leadframe)或基板(Sulbstrate)或塑料薄片(Film)或印刷線路板中的導(dǎo)體部分連接以便引出接線引腳，并通過(guò)可塑性絕緣介質(zhì)灌封固定，構(gòu)成整體立體結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)。它具有電路連接，物理支撐和保護(hù)，外場(chǎng)屏蔽，應(yīng)力緩沖，散熱，尺寸過(guò)度和標(biāo)準(zhǔn)化的作用。從三極管時(shí)代的插入式封裝以及20世紀(jì)80年代的表面貼裝式封裝，發(fā)展到現(xiàn)在的模塊封裝，系統(tǒng)封裝等等，前人已經(jīng)研究出很多封裝形式，每一種新封裝形式都有可能要用到新材料，新工藝或新設(shè)備。

驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體封裝形式不斷發(fā)展的動(dòng)力是其價(jià)格和性能。電子市場(chǎng)的最終客戶可分為3類：家庭用戶、工業(yè)用戶和國(guó)家用戶。家庭用戶最大的特點(diǎn)是價(jià)格便宜而性能要求不高；國(guó)家用戶要求高性能而價(jià)格通常是普通用戶的幾十倍甚至幾千倍，主要用在軍事和航天等方面；工業(yè)用戶通常是價(jià)格和性能都介于以上兩者之間。低價(jià)格要求在原有的基礎(chǔ)上降低成本，這樣材料用得越少越好，一次性產(chǎn)出越大越好。高性能要求產(chǎn)品壽命長(zhǎng)，能耐高低溫及高濕度等惡劣環(huán)境。半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家時(shí)時(shí)刻刻都想方設(shè)法降低成本和提高性能，當(dāng)然也有其它的因素如環(huán)保要求和專利問(wèn)題迫使他們改變封裝型式。

2 封裝的作用

封裝(Package)對(duì)于芯片來(lái)說(shuō)是必須的，也是至關(guān)重要的。封裝也可以說(shuō)是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼，它不僅起著保護(hù)芯片和增強(qiáng)導(dǎo)熱性能的作用，而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁和規(guī)格通用功能的作用。封裝的主要作用有：

(1)物理保護(hù)。因?yàn)樾酒仨毰c外界隔離，以防止空氣中的雜質(zhì)對(duì)芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降，保護(hù)芯片表面以及連接引線等，使相當(dāng)柔嫩的芯片在電氣或熱物理等方面免受外力損害及外部環(huán)境的影響；同時(shí)通過(guò)封裝使芯片的熱膨脹系數(shù)與框架或基板的熱膨脹系數(shù)相匹配，這樣就能緩解由于熱等外部環(huán)境的變化而產(chǎn)生的應(yīng)力以及由于芯片發(fā)熱而產(chǎn)生的應(yīng)力，從而可防止芯片損壞失效。基于散熱的要求，封裝越薄越好，當(dāng)芯片功耗大于2W時(shí)，在封裝上需要增加散熱片或熱沉片，以增強(qiáng)其散熱冷卻功能；5～1OW時(shí)必須采取強(qiáng)制冷卻手段。另一方面，封裝后的芯片也更便于安裝和運(yùn)輸。

(2)電氣連接。封裝的尺寸調(diào)整(間距變換)功能可由芯片的極細(xì)引線間距，調(diào)整到實(shí)裝基板的尺寸間距，從而便于實(shí)裝操作。例如從以亞微米(目前已達(dá)到0．1 3μm以下)為特征尺寸的芯片，到以10μm為單位的芯片焊點(diǎn)，再到以100μm為單位的外部引腳，最后劍以毫米為單位的印刷電路板，都是通過(guò)封裝米實(shí)現(xiàn)的。封裝在這里起著由小到大、由難到易、由復(fù)雜到簡(jiǎn)單的變換作用，從而可使操作費(fèi)用及材料費(fèi)用降低，而且能提高工作效率和可靠性，特別是通過(guò)實(shí)現(xiàn)布線長(zhǎng)度和阻抗配比盡可能地降低連接電阻，寄生電容和電感來(lái)保證正確的信號(hào)波形和傳輸速度。

(3)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格化。規(guī)格通用功能是指封裝的尺寸、形狀、引腳數(shù)量、間距、長(zhǎng)度等有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，既便于加工，又便于與印刷電路板相配合，相關(guān)的生產(chǎn)線及生產(chǎn)設(shè)備都具有通用性。這對(duì)于封裝用戶、電路板廠家、半導(dǎo)體廠家都很方便，而且便于標(biāo)準(zhǔn)化。相比之下，裸芯片實(shí)裝及倒裝目前尚不具備這方面的優(yōu)勢(shì)。由于組裝技術(shù)的好壞還直接影響到芯片自身性能的發(fā)揮和與之連接的印刷電路板(PCB)的設(shè)計(jì)和制造，對(duì)于很多集成電路產(chǎn)品而言，組裝技術(shù)都是非常關(guān)鍵的一環(huán)。

3 封裝的分類

半導(dǎo)體(包括集成電路和分立器件)其芯片的封裝已經(jīng)歷了好幾代的變遷，從DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到MCP再到SIP，技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)，包括芯片面積與封裝面積之比越來(lái)越接近于1，適用頻率越來(lái)越高，耐溫性能越來(lái)越好，引腳數(shù)增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便等等。封裝(Package)可謂種類繁多，而且每一種封裝都有其獨(dú)特的地方，即它的優(yōu)點(diǎn)和不足之處，當(dāng)然其所用的封裝材料、封裝設(shè)備、封裝技術(shù)根據(jù)其需要而有所不同。

把集成電路裝配為芯片的過(guò)程被稱為什么?

這個(gè)過(guò)程稱為封裝或封測(cè),封裝前后應(yīng)該都有一個(gè)芯片測(cè)試過(guò)程.

QFN封裝IC的測(cè)試

QFN是方形扁平無(wú)引腳封裝.Quad Flat No-Lead Package.我所知道的40QFN(6*6)的Hander是Epson NS-6040設(shè)備. Load Board采用圓盤雙Site設(shè)置.和很多ATC設(shè)備一樣,一般測(cè)試分為低溫,常溫和高溫測(cè)試,即-5,30和85攝氏度.測(cè)試時(shí)間需要依照測(cè)試項(xiàng)目來(lái)看,一般做功能測(cè)試都需要60秒到140秒不等的時(shí)間.被測(cè)芯片都放置在專用的Tray中,送入Handler之后由帶傳動(dòng)控制的吸嘴將Device吸起放入Load Board中,然后Handler的Pusher壓下進(jìn)行測(cè)試.

LED的芯片封裝工藝流程是什么啊?國(guó)內(nèi)有沒(méi)有比較知名的LED芯片封裝基地?

LED芯片封裝工藝流程一般包括下面基本步驟:1)芯片檢驗(yàn)2)擴(kuò)片3)點(diǎn)膠4)備膠5 )手工刺片6)自動(dòng)裝架7)燒結(jié)8)壓焊9)點(diǎn)膠封裝10)灌膠封裝11)模壓封裝12)固化與后固化13)后固化14)切筋和劃片15)測(cè)試16)包裝.位于國(guó)家級(jí)的高新產(chǎn)業(yè)園區(qū)——廣州天安節(jié)能科技園的廣州光為照明科技有限公司,就是國(guó)內(nèi)知名的LED芯片封裝基地之一,光為照明是一家專注于LED照明領(lǐng)域,集LED封裝及LED照明產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)為一體的高新技術(shù)企業(yè).掌握封裝核心科技的LED照明,打造性價(jià)比最優(yōu)的大功率LED封裝產(chǎn)品,是國(guó)內(nèi)比較知名的LED芯片封裝基地.

半導(dǎo)體封測(cè)工程部測(cè)試做什么

工程部:工藝開(kāi)發(fā),工藝維護(hù). 制作部:管理生產(chǎn).和其他行業(yè)制造一樣,不要專業(yè)技術(shù),只要跑得快,不出錯(cuò).

半導(dǎo)體封裝的簡(jiǎn)介

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造、晶圓測(cè)試、芯片封裝和封裝后測(cè)試組成.塑封之后,還要進(jìn)行一系列操作,如后固化(Post Mold Cure)、切筋和成型(Trim&Form)、電鍍(Plating)以及打印等工藝.典型的封裝工藝流程為:劃片 裝片 鍵合 塑封 去飛邊 電鍍 打印 切筋和成型 外觀檢查 成品測(cè)試 包裝出貨.

LED從芯片制作到外延，襯底，再到最后封裝的過(guò)程

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1.襯底是指藍(lán)寶石晶棒或者是硅經(jīng)過(guò)切片，清洗，還沒(méi)有其他工藝加工的裸片。也叫基片。

2.外延片是指經(jīng)過(guò)MOCVD加工的片子。

外延生長(zhǎng)的基本原理是：在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片（主要有藍(lán)寶石和、SiC、Si）上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長(zhǎng)出特定單晶薄膜。

具體流程是襯底 – 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) – 緩沖層生長(zhǎng) – N型GaN層生長(zhǎng) – 多量子阱發(fā)光層生 – P型GaN層生長(zhǎng) – 退火 – 檢測(cè)（光熒光、X射線） – 外延片

芯片則是最后的工藝，在外延片上進(jìn)一步加工的來(lái)的。

具體流程是外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。